半导体材料与器件表征 第3版
【作 者】（美）迪特尔·K.施罗德著
【形态项】 714
【出版项】 西安：西安交通大学出版社 , 2017.12
【ISBN号】978-7-5693-0218-9
【中图法分类号】TN304
【原书定价】128.00
【主题词】半导体材料-研究
【参考文献格式】 （美）迪特尔·K.施罗德著. 半导体材料与器件表征 第3版. 西安：西安交通大学出版社, 2017.12.
内容提要:
本书分十二章，内容包括：电阻率；载流子与掺杂浓度；接触电阻和肖特基势垒；串联电阻，沟道长度与宽度，阈值电压；缺陷；栅氧电荷、界面陷阱电荷和栅氧厚度；载流子寿命；迁移率；基于电荷和探针的表征技术等。